Анализатор силовых полупроводниковых приборов Techmize TH521. Измерения до 3500 В и 1800 А. Импульсный режим с длительностью импульса от 10 мкс. Температурный диапазон от –50 °C до +250 °C. Измерение ВАХ, ВФХ, заряда затвора, емкостей Ciss, Coss, Crss, Rg и параметров коммутации. Построение временных осциллограмм. Модульная архитектура. Поддержка интеграции в состав автоматизированных измерительных стендов. Интерфейсы: USB, LAN, RS-232, HANDLER. Поддержка экспорта данных и скриптового управления (SCPI, Python, LabVIEW).
В условиях роста требований к эффективности и надежности силовых компонентов (SiC/GaN MOSFET, IGBT) критически важны точные измерения параметров в реальных рабочих режимах. Традиционные методы, основанные на паспортных данных или разрозненных измерениях, не обеспечивают необходимой достоверности.
Techmize TH521 — это высокоточный анализатор параметров силовых полупроводников, предназначенный для комплексного тестирования ключевых характеристик IGBT, MOSFET, BJT, диодов Шоттки, диодов восстановления, а также приборов на основе SiC и GaN. Функционал TH521 охватывает полный набор измерений, включая вольт-амперные характеристики (ВАХ), заряд затвора, вольт-фарадные характеристики (ВФХ), коммутационные параметры и расчёт потерь. В приборе реализованы импульсные методы измерения, что позволяет минимизировать тепловое воздействие на исследуемое устройство и получать точные параметры даже при высоких токах до 1800 А и напряжениях до 3500 В. Анализатор TH521 уверенно занимает позицию достойной альтернативы таким признанным решениям, как Keysight B1505/B1506 и Keithley 4200A-SCS, при этом предлагая ряд уникальных преимуществ.
Основные функциональные возможности
- Максимальные параметры: до 3500 В и 1800 А
- Температурный диапазон: от -50 °C до +250 °C
- Автоматизированное тестирование и сбор данных
- Встроенный инструмент создания пользовательских алгоритмов на Python с элементами машинного обучения
- Импульсный режим с минимальной длительностью импульса от 10 мкс
- Измерение паразитных параметров: Ciss, Coss, Crss, Rg, Qg и др.
- Построение временных осциллограмм токов и напряжений
Область применения
- Полупроводниковые приборы: MOSFET, IGBT, диоды, тиристоры, транзисторы, интегральные схемы, оптоэлектронные компоненты
- Пластинные элементы: анализ кристаллов после распила
- Конденсаторы и емкостные датчики
- Анализ ВФХ жидкокристаллических и других функциональных материалов
Устройство имеет модульную архитектуру, позволяющую настраивать конфигурацию в зависимости от задач пользователя. Это делает его незаменимым как в научных исследованиях, так и в условиях серийного производства.
Все модели поддерживают работу с температурными камерами и автоматическими системами тестирования, что позволяет использовать прибор как в лабораторной среде, так и в составе автоматизированных измерительных комплексов.
Измеряемые параметры
Характеристики |
Категория |
Параметры |
Важность |
Статические параметры |
Пороговое напряжение |
Vgs(th),Vge(th) |
Влияет на выбор драйвера и устойчивость к помехам |
|
Характеристики передачи |
Id-Vgs, Ic-Vge, gfs |
Определяет управляемость и усилительные свойства прибора |
|
Сопротивление во включенном |
Rds-on. Vce(sat) |
Ключевой параметр для оценки проводимых потерь и эффективности |
|
Ток утечки затвора |
Igss, Iges |
Указывает на качество изоляции и целостность прибора |
|
Выходной ток утечки |
Idss, Ices |
Свидетельствует о наличии внутренних дефектов |
|
Выходные характеристики |
Id-Vds, Ic-Vce |
Помогает определить рабочий режим прибора |
|
Напряжение пробоя |
BVds, BVces |
Критически важно для безопасной и надежной работы |
Характеристики заряда затвора |
Заряд затвора |
Qg, Qg(th), Qgs, Qgd, Qsw, Qsync, Qoss |
Определяет скорость переключения и энергозатраты драйвера |
Характеристики емкости |
Сопротивление затвора |
Rg |
Влияет на скорость переключения и уровень ЭМП |
|
Емкость прибора |
Ciss, Coss, Crss, Cgs, Cgd, Cies, Coes, Cres |
Влияют на коммутационные потери и поведение на высоких частотах |
Потери мощности |
|
Потери возбуждения/коммутационные потери |
Определяют КПД, тепловыделение и требования к охлаждению |
Импульсный режим измерений
В импульсном режиме длительность импульса может составлять всего 10 микросекунд, что позволяет точно зафиксировать ключевые характеристики устройства без значительного самонагрева. В зависимости от модели системы, обеспечивается поддержка номинала тока вплоть до 1800 А, что особенно важно при тестировании компонентов, рассчитанных на работу в силовых инверторах и импульсных источниках питания.
Такая методика обеспечивает снятие характеристик в условиях, максимально приближенных к реальной эксплуатации, но при этом предотвращает тепловое разрушение образца.
Интерфейсы и управление
- Поддержка USB, RS-232, Ethernet (LAN)
- HANDLER-порт для интеграции в автоматические тестовые установки (ATE)
- Управление с ПК через Tonghui Power Device Suite
- SCPI-совместимость
- Поддержка Python, LabVIEW, .NET API
- Возможность создания пользовательских тестов с макросами, шаблонами и экспортом в Excel/CSV
Области применения анализатора TH521 охватывают все ключевые этапы жизненного цикла силовых полупроводников — от разработки до финального контроля.
В ходе разработки устройство позволяет сравнивать транзисторы по параметрам RDS(on), Qg и Coss, а также выполнять подбор драйверов, ориентируясь на точно измеренное значение заряда затвора Qg. Кроме того, оно обеспечивает возможность тестирования компонентов в предельных режимах работы, включая температурные экстремумы.
В задачах контроля качества TH521 применяется для скрининга производственных партий по таким критически важным характеристикам, как RDS(on), Vth и напряжение пробоя BV. Инструмент также используется для верификации соответствия компонентам отраслевым стандартам — IEC, AEC-Q101 и JEDEC — и позволяет эффективно выявлять экземпляры с избыточными токами утечки или нестабильным пороговым напряжением.
При испытаниях на надежность, включая HALT и HASS, TH521 используется как до начала циклов, так и после их завершения, предоставляя данные о возможной деградации параметров. Он также эффективно применяется для контроля изменений после термоциклирования, помогая оценить долговечность и стабильность устройств.
Модель |
Характеристики |
TH521-02-20 |
ВАХ: 200 В/20 A |
TH521-02-20C |
ВАХ: 200 В/20 А; ВФХ: 10 МГц, Qg |
TH521-02-200 |
ВАХ: 200 В/200 А |
TH521-02-200C |
ВАХ: 200 В/200 А; ВФХ: 10 МГц, Qg |
TH521-02-600 |
ВАХ: 200 В/600 А |
TH521-02-600C |
ВАХ: 200 В/600 А; ВФХ: 10 МГц, Qg |
TH521-02-1800 |
ВАХ: 200 В/1800 А |
TH521-02-1800C |
ВАХ: 200 В/1800 А; ВФХ: 10 МГц, Qg |
TH521-35-20 |
ВАХ: 3500 В/20 А |
TH521-35-20C |
ВАХ: 3500 В/20 А; ВФХ: 10 МГц, Qg |
TH521-35-200 |
ВАХ: 3500 В/200 А |
TH521-35-200C |
ВАХ: 3500 В/200 А; ВФХ: 10 МГц, Qg |
TH521-35-600 |
ВАХ: 3500 В/600 А |
TH521-35-600C |
ВАХ: 3500 В/600 А; ВФХ: 10 МГц, Qg |
TH521-35-1800 |
ВАХ: 3500 В/1800 А |
TH521-35-1800C |
ВАХ: 3500 В/1800 А; ВФХ: 10 МГц, Qg |