Приглашаем на экспертный вебинар «Особенности моделирования GaN HEMT»!

На вебинаре спикеры рассмотрят ключевые аспекты моделирования мощных СВЧ-транзисторов на основе GaN HEMT: физические основы работы приборов, классификацию моделей (топологические, физические, поведенческие), а также основные эффекты, влияющие на точность моделирования: короткоканальные эффекты, влияние ловушек, нелинейность сопротивления областей доступа и другие.

Особое внимание будет уделено современным методам и средствам измерений, а также программным решениям для автоматизации процесса моделирования. В рамках выступления спикеры поделятся практическими рекомендациями по выбору моделей, методам измерений и программному обеспечению.

Спикеры вебинара: 
- Алексей Столяренко, руководитель отдела измерительного оборудования, ГК «Научное оборудование»;
- Евгений Харитонов, к.т.н., руководитель проекта передовой инженерной школы ТУСУР.

Вебинар будет интересен:
• Инженерам-разработчикам СВЧ-устройств и интегральных схем.
• Специалистам в области полупроводниковой электроники и моделирования.
• Исследователям, работающим с широкозонными материалами (GaN, GaAs, InP).
• Студентам и аспирантам технических специальностей, изучающим микроэлектронику и СВЧ-технику.

Дата: 3 декабря, среда
Время: 12:00 

Ждём вас на вебинаре!

Регистрация